FDD3580详细
MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK
FDD3580参数
包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):80V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):29 毫欧 @ 7.7A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1760pF @ 40V,功率 - 最大值:1.6W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,供应商器件封装:D-Pak